PVZ3G222C01R00

PVZ3G222C01R00

Сообщить об ошибке

Маркировка

PVZ3G222C01R00

Описание

POT 2.2K OHM 3MM TRIM 1TRN SMD

Производитель

Murata Electronics North America

Сообщить об ошибке

Характеристики PVZ3G222C01R00

Серия

PVZ3
Производитель

Murata Electronics North America
Сопротивление Ом

2.20K
Мощность (Ватт)

0.1W, 1/10W
Taper

Linear
Допуск

±30%
Температурный коэффициент

±500ppm/°C
Number of Turns

Single
Adjustment Type

Top Adjustment
Тип монтажа

Surface Mount
Resistive Material

Carbon
Исполнение / Корпус

Square - 0.122" L x 0.122" W x 0.045" H (3.10mm x 3.10mm x 1.15mm)
Упаковка

Tape & Reel (TR)
Resistance (Ohms)
Termination Style
Size / Dimension

Полная характеристикаСкрыть

Новости электроники

<p>Новые технологии для ST микроконтроллера, опыт изготовителя и эффективность архитектуры STM32 дали возможность обеспечить отличный результат. Срок службы батареи составляет более чем 15 лет, также появились новые возможности по энергосбережению.</p>

Беспроводные MCU ST — оптимальное решение для эффективного промышленного мониторинга

25.05.2024

<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>

По мнению TrendForce ожидается очередной рост выручки от продаж флэш-памяти NAND

24.05.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>

Infineon представляет усовершенствованный SiC MOSFET для повышения энергоэффективности

22.05.2024

Еще новости

Всё для радиолюбителя - Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.

Всё для радиолюбителя

Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.